Power Integrations發表2200V氮化鎵技術 搶攻AI數據中心與電動車市場
2026-08-05 21:08
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高壓電源轉換積體電路廠商 Power Integrations 宣布，旗下 PowiGaN 氮化鎵（GaN）技術額定電壓提升至 2200 V，遠超其他商用 GaN 技術，將為 AI 數據中心、電動車及再生能源等高壓系統提供全新解決方案。
高壓電源轉換積體電路廠商 Power Integrations 宣布，旗下 PowiGaN 氮化鎵（GaN）技術額定電壓提升至 2200 V，遠超其他商用 GaN 技術，將為 AI 數據中心、電動車及再生能源等高壓系統提供全新解決方案。
Power Integrations 總裁兼執行長 Jennifer Lloyd 表示，這項 2200 V PowiGaN 技術為新興的高壓電力系統提供了充足的電壓裕度，同時實現了最大化功率密度所需的高開關頻率。此技術將應用於下一代 AI 數據中心（產業藍圖指向 1500 V 分配架構），以及未來在更高輸出電壓下運行的電動車（EV）電池與輔助電源系統。
由於高效率和高開關頻率，GaN 功率開關正逐步取代傳統的矽電晶體。然而，隨著數據中心、電動車和再生能源對高電壓與高功率密度的需求增加，傳統替代方案如低頻碳化矽（SiC）或堆疊式低壓 GaN 元件，往往必須在複雜度與可靠性上做出妥協。
市場研究機構 Yole Group 分析師 Roy Dagher 指出，AI 數據中心向 800 VDC 匯流排架構的轉變正在重塑功率半導體市場。過去 GaN 的電壓限制使其無法進入主功率路徑，而 2200 V 的額定電壓改變了這一局面。Yole Group 預估，到 2031 年，全球功率 GaN 元件市場規模將達到 35 億美元。
