中國傳EUV技術大突破 美晶片股重挫輝達跌近5%
2026-07-28 01:18
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受中國半導體技術取得重大突破的報導影響,美國晶片股週一在華爾街集體重挫。據傳中國企業已開始量產極紫外光(EUV)光刻機,此舉恐加速中國晶片產業發展,並威脅美國科技巨頭的領先地位。
受中國半導體技術取得重大突破的報導影響,美國晶片股週一在華爾街集體重挫。據傳中國企業已開始量產極紫外光(EUV)光刻機,此舉恐加速中國晶片產業發展,並威脅美國科技巨頭的領先地位。
根據科技媒體《The Information》報導,中國公司上海御量盛(Shanghai Yuliangsheng)已開始量產極紫外光(EUV)光刻機。這項關鍵技術先前僅由荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)獨家掌握。EUV 技術利用紫外光在矽晶圓上蝕刻微細電路,能在指甲大小的晶片上容納數百億個電晶體,是製造高效能處理器的核心技術。
法新社(AFP)曾嘗試聯繫上海御量盛,以及與該集團有聯繫的 SiCarrier 和華為(Huawei),但三家公司均未立即做出回應。若中國成功自主生產 EUV 光刻機,將能擺脫對艾司摩爾(ASML)的依賴,繞過歐盟以外的出口限制,進而加速中國晶片與人工智慧(AI)產業的發展,縮小與美國頂尖企業的技術差距。
此消息引發華爾街市場恐慌,美國主要半導體股週一應聲下跌。其中,超微(AMD)股價重挫高達 8%,輝達(Nvidia)與美光(Micron)均下跌近 5%,英特爾(Intel)也下跌 3.7%。
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