晶圓代工再吹反攻號角　英特爾18A-P跨入量產新里程碑

財經中心／王駿凱報導

英特爾於2026年VLSI研討會公布最新晶圓代工技術進展，宣布Intel 18A家族首款強化版製程Intel 18A-P正式進入風險量產（Risk Production）階段。該製程在維持與Intel 18A完全設計相容的基礎上，進一步提升效能、功耗與散熱表現，展現英特爾持續推進先進製程布局的決心。

英特爾晶圓代工（Intel Foundry）總經理Naga Chandrasekaran表示，公司持續投入先進製程創新，18A-P與後續研發成果顯示英特爾正穩步推進既定藍圖，並致力於為客戶與合作夥伴提供更具競爭力的製程技術。

根據英特爾公布資料，相較於Intel 18A製程，18A-P可在相同功耗下提供最高9%的效能提升，或在維持相同效能下將功耗降低最高18%。新製程導入Power Boost技術，採用雙接點與低電阻電晶體設計，提高驅動電流與運作頻率，同時透過材料與結構優化，使散熱能力提升20%至40%。此外，18A-P透過改善垂直互連通孔（Via）設計，將電阻降低10%至30%，提升訊號傳輸效率，並藉由PMOS應變工程提升載子遷移率。製程亦新增低功耗與高效能電晶體選項，以及第五種邏輯臨界電壓配置，讓晶片設計具備更高彈性。英特爾指出，18A-P與18A採用相同設計規則，可直接沿用既有IP與設計流程，有助客戶縮短產品開發時程，加速導入新產品。

在實際CPU核心測試中，採用GAA與背面供電技術後，在約0.5V低電壓環境下可提升約30%運作頻率，同時改善供電效率與整體能耗表現。面向下一世代技術，英特爾亦展示多項研發成果，包括採用NMOS與PMOS垂直堆疊的CFET（互補式場效電晶體）、氮化鎵與矽整合的電源管理技術，以及結合氣隙結構的減材釕互連技術。其中新型互連架構相較傳統銅互連可降低最高35%電容，有助進一步改善晶片訊號傳輸效率與運作頻率。隨著18A-P正式邁入風險量產，市場關注英特爾能否藉由GAA、背面供電與後續CFET等技術突破，強化先進製程競爭力，並提升Intel Foundry在全球晶圓代工市場的市占表現。

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